反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):21W,输入电容(Ciss):760pF,连续漏极电流(Id):33A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.387/个 |
| 50+ | ¥1.079/个 |
| 150+ | ¥0.947/个 |
| 500+ | ¥0.783/个 |
| 3000+ | ¥0.691/个 |
| 6000+ | ¥0.647/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.647
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