反向传输电容(Crss):37.4pF@15V,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):19.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):21W,输入电容(Ciss):1535pF@15V,连续漏极电流(Id):9.3A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.4pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 输入电容(Ciss) | 1535pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.409/个 |
| 50+ | ¥1.23/个 |
| 150+ | ¥1.154/个 |
| 500+ | ¥1.0583/个 |
| 3000+ | ¥1.0158/个 |
| 6000+ | ¥0.99/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.93454
3000 PCS/盘
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