反向传输电容(Crss):44pF@30V,导通电阻(RDS(on)):3.9mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):69W,输入电容(Ciss):2500pF@30V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 44pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V,50A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 69W | |
输入电容(Ciss) | 2500pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.43/个 |
10+ | ¥5.3/个 |
30+ | ¥4.67/个 |
100+ | ¥3.97/个 |
500+ | ¥3.5/个 |
1000+ | ¥3.36/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.347
5000 PCS/盘
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