反向传输电容(Crss):48pF@20V,导通电阻(RDS(on)):7.6mΩ@10V,17A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):38nC@20V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):65W,输入电容(Ciss):2950pF@20V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 48pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V,17A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 38nC@20V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 65W | |
输入电容(Ciss) | 2950pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |