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MMBT3906LT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MMBT3906LT1G
- 商品编号
- C53444
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):250MHz,直流电流增益(hFE):60,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):250mV,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):200mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.114/个 |
| 500+ | ¥0.0903/个 |
| 3000+ | ¥0.0683/个 |
| 6000+ | ¥0.0603/个 |
| 24000+ | ¥0.0572/个 |
| 51000+ | ¥0.055/个 |
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