反向传输电容(Crss):0.8pF,导通电阻(RDS(on)):1300mΩ,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.58nC,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):12pF,连续漏极电流(Id):0.3A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1300mΩ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.58nC | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 12pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |