反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):715pF,输出电容(Coss):230pF,连续漏极电流(Id):2.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.65/个 |
| 10+ | ¥3.68/个 |
| 30+ | ¥3.19/个 |
| 100+ | ¥2.7/个 |
| 500+ | ¥2.41/个 |
| 1000+ | ¥2.26/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.217
1000 PCS/盘
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