反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,0.16A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):39pF@3V,连续漏极电流(Id):0.23A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,0.16A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | 39pF@3V | |
连续漏极电流(Id) | 0.23A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.303/个 |
50+ | ¥1.0158/个 |
150+ | ¥0.893/个 |
500+ | ¥0.739/个 |
3000+ | ¥0.671/个 |
6000+ | ¥0.63/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.61732
3000 PCS/盘
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