BSS159N H6327实物图
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BSS159N H6327

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品牌名称
Infineon(英飞凌)
厂家型号
BSS159N H6327
商品编号
C534606
商品封装
SOT-23-3
商品毛重
0.00003千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,0.16A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):39pF@3V,连续漏极电流(Id):0.23A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)5pF
导通电阻(RDS(on))8Ω@10V,0.16A
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)0.36W
输入电容(Ciss)39pF@3V
连续漏极电流(Id)0.23A
阈值电压(Vgs(th))2.4V

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