反向传输电容(Crss):1.3pF@10V,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@4.5V,100mA,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):40pF@10V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.3pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,100mA | |
工作温度 | - | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 500mW | |
输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |