写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):4ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:-,接口类型:SPI,擦写寿命:-,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):104MHz,页写入时间(Tpp):360us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 4ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | - | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 360us |