IMW65R048M1H实物图
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IMW65R048M1H

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品牌名称
Infineon(英飞凌)
厂家型号
IMW65R048M1H
商品编号
C536287
商品封装
TO-247-3
商品毛重
0.00819千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):13pF,导通电阻(RDS(on)):64mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):33nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):1118pF,输出电容(Coss):168pF,连续漏极电流(Id):39A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)13pF
导通电阻(RDS(on))64mΩ
工作温度-55℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)33nC
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)125W
输入电容(Ciss)1118pF
输出电容(Coss)168pF
连续漏极电流(Id)39A
阈值电压(Vgs(th))5.7V

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