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IMZA65R048M1H
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMZA65R048M1H
- 商品编号
- C536298
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):13pF,导通电阻(RDS(on)):48mΩ,导通电阻(RDS(on)):48mΩ@18V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):33nC,栅极电荷量(Qg):33nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):1118pF,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 1118pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥39.01/个 |
| 10+ | ¥38.07/个 |
| 30+ | ¥36.38/个 |
| 90+ | ¥35.75/个 |
| 92+ | ¥35.75/个 |
| 94+ | ¥35.75/个 |
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