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IPA083N10N5
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPA083N10N5
- 商品编号
- C536320
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002718千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):28pF@50V,导通电阻(RDS(on)):8.3mΩ@10V,44A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):36W,输入电容(Ciss):2730pF@50V,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V,44A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 输入电容(Ciss) | 2730pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
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