反向传输电容(Crss):200pF@400V,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,1.8A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):24.9W,输入电容(Ciss):364pF@400V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 200pF@400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V,1.8A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 24.9W | |
输入电容(Ciss) | 364pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.7/个 |
10+ | ¥3.791/个 |
50+ | ¥3.337/个 |
100+ | ¥2.883/个 |
500+ | ¥2.613/个 |
1000+ | ¥2.471/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.143
50 PCS/盘
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