反向传输电容(Crss):42.8pF,导通电阻(RDS(on)):27mΩ,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):164nC,栅极电荷量(Qg):164nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):463W,输入电容(Ciss):4700pF,输出电容(Coss):231pF,连续漏极电流(Id):90A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 42.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 463W | |
| 输入电容(Ciss) | 4700pF | |
| 输出电容(Coss) | 231pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥52.42/个 |
| 10+ | ¥45.08/个 |
| 30+ | ¥40.58/个 |
| 90+ | ¥36.81/个 |
| 92+ | ¥36.81/个 |
| 94+ | ¥36.81/个 |
整盘
单价
整盘单价¥37.3336
30 PCS/盘
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