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IPB108N15N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB108N15N3 G
- 商品编号
- C536537
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.00006千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):10.8mΩ@10V,83A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):41nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):3230pF,输出电容(Coss):378pF,连续漏极电流(Id):83A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@10V,83A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 输入电容(Ciss) | 3230pF | |
| 输出电容(Coss) | 378pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥13.98/个 |
| 10+ | ¥12.74/个 |
| 30+ | ¥11.97/个 |
| 100+ | ¥11.17/个 |
| 500+ | ¥10.81/个 |
| 1000+ | ¥10.66/个 |
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