导通电阻(RDS(on)):220mΩ@10V,1.6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):290pF@25V,连续漏极电流(Id):1.6A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,1.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 1.3W | |
输入电容(Ciss) | 290pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.737/个 |
50+ | ¥0.591/个 |
150+ | ¥0.518/个 |
500+ | ¥0.463/个 |
3000+ | ¥0.352/个 |
6000+ | ¥0.33/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.32384
3000 PCS/盘
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