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IPI70N04S4-06
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPI70N04S4-06
- 商品编号
- C536998
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):6.2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):32nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):58W,输入电容(Ciss):2550pF,输出电容(Coss):640pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):4V@26uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 输入电容(Ciss) | 2550pF | |
| 输出电容(Coss) | 640pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@26uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.11/个 |
| 10+ | ¥4.99/个 |
| 30+ | ¥4.91/个 |
| 100+ | ¥4.637/个 |
| 102+ | ¥4.637/个 |
| 104+ | ¥4.637/个 |
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