温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
IPN50R950CE
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPN50R950CE
- 商品编号
- C537076
- 商品封装
- SOT-223-3
- 商品毛重
- 0.000212千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):62pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.95Ω@13V,1.2A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@10V,漏源电压(Vdss):550V,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):231pF@100V,连续漏极电流(Id):6.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95Ω@13V,1.2A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | 231pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.498 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车