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IPN60R1K0CE
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPN60R1K0CE
- 商品编号
- C537077
- 商品封装
- SOT-223
- 商品毛重
- 0.000213千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,1.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):280pF,输出电容(Coss):21pF,连续漏极电流(Id):6.8A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,1.5A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 输出电容(Coss) | 21pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.03/个 |
| 10+ | ¥1.98/个 |
| 30+ | ¥1.95/个 |
| 100+ | ¥1.92/个 |
| 102+ | ¥1.92/个 |
| 104+ | ¥1.92/个 |
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