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IPN60R2K1CE
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPN60R2K1CE
- 商品编号
- C537082
- 商品封装
- SOT-223-3
- 商品毛重
- 0.00015千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):2.1Ω@10V,0.8A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.7nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):140pF@100V,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,0.8A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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