反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.64Ω@10V,0.5A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.8nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:-,耗散功率(Pd):6W,输入电容(Ciss):130pF@400V,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):2A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.64Ω@10V,0.5A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 6W | |
输入电容(Ciss) | 130pF@400V | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |