反向传输电容(Crss):4pF@500V,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,0.94A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):6.4W,输入电容(Ciss):175pF@500V,连续漏极电流(Id):1.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4pF@500V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.94A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 6.4W | |
输入电容(Ciss) | 175pF@500V | |
连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.53/个 |
10+ | ¥4.45/个 |
30+ | ¥3.91/个 |
100+ | ¥3.37/个 |
500+ | ¥3.05/个 |
1000+ | ¥2.88/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.6496
3000 PCS/盘
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