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N沟道SiC功率MOSFET
扩展库- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 厂家型号
- RSM120040W
- 商品编号
- C5371982
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0087千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@18V,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):121nC,栅极电荷量(Qg):121nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):340W,输入电容(Ciss):2070pF,输出电容(Coss):112pF,连续漏极电流(Id):68A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@18V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 340W | |
| 输入电容(Ciss) | 2070pF | |
| 输出电容(Coss) | 112pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |