导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,15.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):67nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):156W,输入电容(Ciss):2721pF,输出电容(Coss):53pF,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,15.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 输入电容(Ciss) | 2721pF | |
| 输出电容(Coss) | 53pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥17.07/个 |
| 10+ | ¥14.15/个 |
| 30+ | ¥12.31/个 |
| 90+ | ¥10.44/个 |
| 510+ | ¥9.59/个 |
| 990+ | ¥9.23/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.3252
30 PCS/盘
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