导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,15.1A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):156W,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,15.1A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 156W | |
连续漏极电流(Id) | 31A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥19.67/个 |
10+ | ¥16.93/个 |
30+ | ¥15.31/个 |
90+ | ¥13.66/个 |
510+ | ¥12.9/个 |
990+ | ¥12.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.0852
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