反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):90mΩ@10V,11.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):2103pF@400V,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,11.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 2103pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥31.98/个 |
| 10+ | ¥27.3/个 |
| 30+ | ¥24.46/个 |
| 100+ | ¥22.07/个 |
| 102+ | ¥22.07/个 |
| 104+ | ¥22.07/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.46
240 PCS/盘
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