反向传输电容(Crss):526pF@400V,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@10V,8.2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):95W,输入电容(Ciss):1544pF@400V,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 526pF@400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,8.2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | - | |
耗散功率(Pd) | 95W | |
输入电容(Ciss) | 1544pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥20.497/个 |
10+ | ¥17.317/个 |
30+ | ¥14.646/个 |
90+ | ¥14.211/个 |
480+ | ¥14.0164/个 |
960+ | ¥13.923/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.646
30 PCS/盘