反向传输电容(Crss):1260pF@0400V,导通电阻(RDS(on)):0.048Ω@10V,29.4A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):270nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):500W,输入电容(Ciss):7440pF@100V,连续漏极电流(Id):63.3A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1260pF@0400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.048Ω@10V,29.4A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 270nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 500W | |
输入电容(Ciss) | 7440pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 63.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |