反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.099Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):118nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):277.8W,输入电容(Ciss):3240pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):31.2A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1.3mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.099Ω@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 277.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 3240pF | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.3mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥21.81/个 |
| 10+ | ¥20.7/个 |
| 30+ | ¥19.04/个 |
| 90+ | ¥18.38/个 |
| 480+ | ¥18.07/个 |
| 960+ | ¥17.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥17.591
30 PCS/盘
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