反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):37mΩ@10V,29.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):121nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):255W,输入电容(Ciss):5243pF@400V,连续漏极电流(Id):48A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,29.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 255W | |
输入电容(Ciss) | 5243pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 48A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥84.25/个 |
10+ | ¥80.51/个 |
30+ | ¥74.03/个 |
100+ | ¥68.37/个 |
102+ | ¥68.37/个 |
104+ | ¥68.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥62.9004
240 PCS/盘
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