反向传输电容(Crss):716pF@400V,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@10V,11.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):129W,输入电容(Ciss):2180pF@400V,连续漏极电流(Id):23A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 716pF@400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,11.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 129W | |
输入电容(Ciss) | 2180pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 23A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥29.89/个 |
10+ | ¥29.23/个 |
30+ | ¥28.8/个 |
100+ | ¥28.37/个 |
102+ | ¥28.37/个 |
104+ | ¥28.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥26.1004
240 PCS/盘
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