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AO6601
扩展库- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 厂家型号
- AO6601
- 商品编号
- C5375977
- 商品封装
- SOT-23-6
- 商品毛重
- 0.0001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):18pF,反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):46mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):88mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,栅极电荷量(Qg):5.9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.15W,输入电容(Ciss):235pF,输入电容(Ciss):260pF,输出电容(Coss):35pF,输出电容(Coss):37pF,连续漏极电流(Id):3.4A,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.592/个 |
| 50+ | ¥0.467/个 |
| 150+ | ¥0.404/个 |
| 500+ | ¥0.357/个 |
| 3000+ | ¥0.32/个 |
| 6000+ | ¥0.301/个 |
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