反向传输电容(Crss):27pF,反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):51mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):56mΩ@-4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):2.9nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):8.5nC@-4.5V,漏源电压(Vdss):20V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.1W,耗散功率(Pd):1.1W,输入电容(Ciss):260pF,输入电容(Ciss):560pF,输出电容(Coss):80pF,输出电容(Coss):48pF,连续漏极电流(Id):3.4A,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):0.65V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 27pF | |
反向传输电容(Crss) | 70pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@4.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@-4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@-4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.1W | |
耗散功率(Pd) | 1.1W | |
输入电容(Ciss) | 260pF | |
输入电容(Ciss) | 560pF | |
输出电容(Coss) | 80pF | |
输出电容(Coss) | 48pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V@250uA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.65V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.584/个 |
50+ | ¥0.458/个 |
150+ | ¥0.395/个 |
500+ | ¥0.348/个 |
3000+ | ¥0.311/个 |
6000+ | ¥0.292/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.28612
3000 PCS/盘
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