反向传输电容(Crss):16pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@10V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.3nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.455/个 |
| 100+ | ¥0.364/个 |
| 300+ | ¥0.319/个 |
| 3000+ | ¥0.284/个 |
| 6000+ | ¥0.257/个 |
| 9000+ | ¥0.243/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.26128
3000 PCS/盘
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