反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@10V,16A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):71nC,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):1960pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,16A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 130W | |
输入电容(Ciss) | 1960pF | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.76/个 |
10+ | ¥5.64/个 |
30+ | ¥5.03/个 |
100+ | ¥4.34/个 |
500+ | ¥4.03/个 |
1000+ | ¥3.9/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.588
2000 PCS/盘
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