反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):28.5mΩ@10V,21A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):59nC,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):91W,输入电容(Ciss):1690pF,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 28.5mΩ@10V,21A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 59nC | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 91W | |
输入电容(Ciss) | 1690pF | |
连续漏极电流(Id) | 35A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.37/个 |
10+ | ¥2.31/个 |
30+ | ¥2.27/个 |
100+ | ¥2.23/个 |
102+ | ¥2.23/个 |
104+ | ¥2.23/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.0988
2000 PCS/盘
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