反向传输电容(Crss):130pF@120V,导通电阻(RDS(on)):0.295Ω@10V,6.6A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):66nC,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):860pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 130pF@120V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.295Ω@10V,6.6A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 110W | |
输入电容(Ciss) | 860pF | |
连续漏极电流(Id) | 13A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.69/个 |
10+ | ¥8.92/个 |
30+ | ¥7.95/个 |
100+ | ¥6.86/个 |
500+ | ¥6.37/个 |
1000+ | ¥6.15/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.658
3000 PCS/盘
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