反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):175mΩ@10V,6.6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):350pF@25V,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V,6.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |