反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,75A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):260nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):7600pF@50V,连续漏极电流(Id):170A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,75A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
耗散功率(Pd) | 300W | |
输入电容(Ciss) | 7600pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 170A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥18.65/个 |
10+ | ¥15.79/个 |
30+ | ¥14/个 |
100+ | ¥12.17/个 |
500+ | ¥11.34/个 |
800+ | ¥10.98/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.1016
800 PCS/盘
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