反向传输电容(Crss):594pF,导通电阻(RDS(on)):2.4mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):279nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):294W,输入电容(Ciss):10034pF,连续漏极电流(Id):232A,阈值电压(Vgs(th)):3.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 594pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,100A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 279nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 294W | |
输入电容(Ciss) | 10034pF | |
连续漏极电流(Id) | 232A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥8.09/个 |
10+ | ¥6.66/个 |
30+ | ¥5.87/个 |
100+ | ¥4.97/个 |
500+ | ¥4.58/个 |
800+ | ¥4.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.234
800 PCS/盘
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