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FQD2N60CTM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD2N60CTM
- 商品编号
- C5386
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):4.7Ω@10V,0.95A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@480V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):235pF@25V,连续漏极电流(Id):1.9A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V,0.95A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.76/个 |
| 10+ | ¥2.2/个 |
| 30+ | ¥1.97/个 |
| 100+ | ¥1.67/个 |
| 500+ | ¥1.31/个 |
| 1000+ | ¥1.23/个 |
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