反向传输电容(Crss):52pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.118Ω@10V,21.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):163nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):313W,输入电容(Ciss):5060pF@25V,连续漏极电流(Id):34.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 52pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.118Ω@10V,21.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 163nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 313W | |
输入电容(Ciss) | 5060pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 34.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |