反向传输电容(Crss):9pF@16V,导通电阻(RDS(on)):510mΩ@4.5V,0.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.24nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):113pF@16V,连续漏极电流(Id):0.66A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 9pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 510mΩ@4.5V,0.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 113pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 0.66A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0948/个 |
200+ | ¥0.082/个 |
600+ | ¥0.0749/个 |
2000+ | ¥0.0706/个 |
8000+ | ¥0.0697/个 |
16000+ | ¥0.0676/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06412
8000 PCS/盘
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