反向传输电容(Crss):11.6pF@50V,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):38nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):101W,输入电容(Ciss):2369pF@50V,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.6pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 101W | |
| 输入电容(Ciss) | 2369pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.09/个 |
| 10+ | ¥3.26/个 |
| 30+ | ¥2.84/个 |
| 100+ | ¥2.43/个 |
| 500+ | ¥2.18/个 |
| 1000+ | ¥2.05/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.0458
2500 PCS/盘
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