反向传输电容(Crss):75pF@10V,导通电阻(RDS(on)):49mΩ@8V,4A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):610mW,耗散功率(Pd):8.3W,输入电容(Ciss):679pF@10V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@8V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 610mW | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 679pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.158/个 |
| 50+ | ¥0.909/个 |
| 150+ | ¥0.803/个 |
| 500+ | ¥0.664/个 |
| 3000+ | ¥0.605/个 |
| 6000+ | ¥0.57/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.5566
3000 PCS/盘
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