射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-65℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):200@1A,2V,耗散功率(Pd):480mW,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):2A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 200@1A,2V | |
耗散功率(Pd) | 480mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 2A |