晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):150@250mA,1V,耗散功率(Pd):-,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):200mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 150@250mA,1V | |
耗散功率(Pd) | - | |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 1A |