反向传输电容(Crss):102pF@10V,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@4.5V,7A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):610mW,耗散功率(Pd):8.3W,输入电容(Ciss):1220pF@10V,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):0.65V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,7A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 610mW | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 1220pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.65V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.823/个 |
| 50+ | ¥0.806/个 |
| 150+ | ¥0.794/个 |
| 500+ | ¥0.747/个 |
| 510+ | ¥0.747/个 |
| 520+ | ¥0.747/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.68724
3000 PCS/盘
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