反向传输电容(Crss):220pF,导通电阻(RDS(on)):0.13Ω@4.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):870pF,连续漏极电流(Id):4.6A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 220pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.13Ω@4.5V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 870pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.81/个 |
10+ | ¥2.21/个 |
30+ | ¥1.95/个 |
100+ | ¥1.63/个 |
500+ | ¥1.35/个 |
1000+ | ¥1.26/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.257
4000 PCS/盘
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