反向传输电容(Crss):97.26pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15.23nC@6V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.57W,输入电容(Ciss):882.51pF,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 97.26pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.23nC@6V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.57W | |
| 输入电容(Ciss) | 882.51pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0865/个 |
| 500+ | ¥0.0695/个 |
| 3000+ | ¥0.0557/个 |
| 6000+ | ¥0.05/个 |
| 24000+ | ¥0.0451/个 |
| 51000+ | ¥0.0425/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05124
3000 PCS/盘
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